海力士國際股份有限公司安居分公司

⑴ 無錫海力士與上海中芯哪一個更好點 待遇和發展

一個在無錫，一個在上海？首先問下自己，你想去哪個城市發展？
待遇相關，我認為跟你的職務有關系。
海力士是韓國公司，韓國文化氛圍很重。
而中芯國際管理模式偏台灣。
個人任務台灣公司還不如韓國公司。同等條件工資相差1500左右，我會選擇海力士。因為上海你知道，買個房子就要多好多米阿。
我勸你有能力別進FAB，還不如做Vendor。

⑵ 海力士怎麼樣

MAXIM（美）
TI（德州儀器） - 歐洲意法半導體（意法半導體） - 中東INTERSIL英語特熙兒
REALTEK（瑞昱）`

BR>飛利浦PHILIPS

HYNIX（現代） - 中東安捷倫科技（Agilent技術）
三星（SAMSUNG）

FAIRCHILD仙童（仙童） - FSC

ATMEL艾特梅爾

海力士（Hynix公司 - 現代工廠） - HY

東芝--TOS BR>

NXP恩智浦蒲/飛利浦

ADI公司ADI公司

AVAGO安華高

Spansion公司Spansion公司

NS國家半導體

Microchip的Microchip的

CYPRESS賽普拉斯撕裂--CY

ISSI ISSI

DALLAS--達拉撕

MICRONAS（微開半導體） - 中東國家儀器公司（NI公司）的NS

LINEAR（凌力爾特） - 中東RENESAS（瑞薩）

SUNPLUS（凌陽）
FREESCALE（飛思卡爾）
FUJI ELECTRIC（富士電機）

富士康電子（鴻海）
梯隊（埃及施琅）
INFINEON（英飛凌）
國際米蘭（英特爾）
OMRON（歐姆龍）

⑶ 海力士和金泰克的內存條哪個好

應該是海力士的好。國際大品牌。就是這個品牌的內存假貨比較多。
金泰克只是三線的品牌。國產品牌。當然也是正規品牌的，三年質保，主打就是性價比高。

⑷ 海力士待遇怎麼樣

不止很了解他的待遇
不過我想作為該領域內的國際領先企業
應該差不到哪裡去吧

⑸ 海力士16和24哪個好

海力士的內存是雙面顆粒的(2R*16)，記憶Ramaxel的是單面顆粒(2R*8)，hynix可以和ramaxel的兼容，2者的頻率是一樣的，速度也一樣。工藝肯定是Ramaxel的好，它的PCB底板是深海藍色，有6層呢，顆粒焊接也很仔細，並且都用國際大廠顆粒做的。hynix市場上很多翻新條或者庫存顆粒做的，他家的顆粒質量還是很不錯的，現在基本交由模組廠商來做內存了。
Ramaxel是聯想和惠普的本本里原裝內存。如果2個內存都是機器一買來就有的，可能是經銷商擴容沒有選擇原裝條。按理說肯定原裝的好哇。

⑹ 海力士的發展過程

2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中國無錫市後續工程合作社
04月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。
2008年 12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM
11 月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
05月 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
04月 為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證
2007年12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)
11月WTO做出判決海力士進口晶元相關報復性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
10月與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同
09月以24層疊晶元(stacked chips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP
08月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月發表企業中長期總體規劃
05月業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
04月DOC H3開始大量生產在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率
03月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表「生態標記(ECO Mark)」與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鍾甲就任新任 代表理事、社長
01月開發出以「晶圓級封裝(Wafer Level Package)」技術為基礎的超高速存儲器模塊
2006年創下最高業績及利潤
2006年12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網路
09月300mm研究生產線下線
03月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證
01月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 業界最先推出JEDEC標准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前從企業重組完善協議中抽身而出
04月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
03月 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤
01月 與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議
2004年11月 與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議
08月 與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議
07月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
06月 簽訂非內存事業營業權轉讓協議
03月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
02月 成功開發NAND快閃記憶體
2003年12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU
08月 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。
07月 宣布在世界上首次發表DDR500
06月 512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證
05月 採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256Mb SDRAM投入批量生產
04月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND快閃記憶體
03月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門
10月 開發0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶
03月 開發1G DDR DRAM模塊
2001年08月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成與現代集團的最終分離
07月 剝離CDMA移動通信設備製造業務『Hyundai Syscomm』
05月 剝離通信服務業務『Hyundai CuriTel』
剝離網路業務『Hyundai Networks』
03月 公司更名為「Hynix半導體有限公司」
2000年08月 剝離顯示屏銷售業務『Hyundai Image Quest』
04月 剝離電子線路設計業務『Hyundai Autonet』
1999年10月 合並LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社
03月 出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）
1998年09月 開發64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次開發1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 開發4M的DRAM
1988年11月 在歐洲當地設立公司（HEE）
01月 開發1M的DRAM
1986年06月 舉行第一次員工文化展覽會「Ami Carnical」
04月 設立半導體研究院
1985年10月 開始批量生產256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫 理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標志

⑺ 海力士的晶元裝在紐科的內存條上和原裝的海力士內存條有區別嗎

一、就經營范圍而言，海力士是做內存顆粒的，紐科則是將顆粒焊在板子上弄成內存條的。

二、就品牌定位而言，海力士是做原料的品牌，而紐科是做成品組裝的。紐科跟金士頓生產的經營業務范圍差不多，但金士頓有名氣明顯做的更專業。

三、就內存顆粒來源來說，海力士所產的內存顆粒統統專門叫海力士，紐科組裝內存，除了選用海力士顆粒外，還選用三星等顆粒。

(7)海力士國際股份有限公司安居分公司擴展閱讀：

海力士為原來的現代內存,2001年更名為海力士。海力士在韓國有4條8英寸晶圓生產線和一條12英寸生產線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產線。2004年及2005年全球DRAM市場佔有率處於第二位，中國市場佔有率處於第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人。

海力士（Hynix）半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創造舒適的生活環境。海力士半導體致力生產以DRAM和NAND Flash為主的半導體產品。

⑻ 超勝內存，算不算雜牌，質量如何

Leadram超勝內存不僅用料完全遵照Hynix海力士原廠條，而且設計方面也借鑒了Hynix海力士成熟的技術，其最新出品的內存產品，凜然可稱做"國產Hynix"，下面我們就來看看Leadram超勝內存完整的六點優勢：
一、韓國原廠顆粒

Leadram超勝內存使用的是與Hynix內存顆粒硬體規格完全一致的韓國原廠A級顆粒，韓國工藝和技術製造，在品質用料和做工上與Hynix海力士正品內存不相上下。近水樓台先得月吧，在獲得Hynix海力士內存的授權代理後，超勝也同時能分享到Hynix原廠A級顆粒，品質優良，性能優異，保證與正品Hynix海力士內存同樣良好的廣泛兼容性。

二、六層PCB專用布線設計

六層PCB設計，相比四層PCB板的電子線路布線空間更大，能有效的減少電磁干擾和不穩定因素。Intel從PC100內存開始就要求採用六層PCB板，但國內一些內存品牌為達到節約成本的目的，仍採用4層PCB，雜牌內存更是多數為4層PCB板，在系統穩定性以及超頻能力上遠遠不如6層PCB板設計的內存。

三、耦合電容穩定保證
超勝內存在每個內存顆粒上方都設置有耦合電容，用於穩定輸入電平，保持電壓的穩定，以使內存在長時間工作時更加穩定，不受外界電源問題的影響；超頻時的優異表現也得益於此。

四、電鍍金手指工藝

超勝內存在金手指部分，採用業界先進的電鍍金工藝，可以在使用中有效抗摩擦破損，防止氧化層產生，保證金手指與接觸部位的良好導通性；部分品牌內存金手指採用化學沉金工藝，生成的金層相對較薄，容易在安裝時破損，在日常使用時氧化，導致使用中的諸多問題。
五、PCB完整覆銅

完整的覆銅設計，避免了信號層和電源層之間的電磁干擾，保證了產品的電氣性能及抗電子干擾性能；部分品牌內存的PCB板為節約成本，採用半覆銅設計，抗干擾能力差，超頻性能差。

六、價格、渠道與研發

超勝科技作為一家集研發、生產、銷售於一體的高新技術企業，一直是向著精品方向努力，在引進Hynix海力士內存之後，Leadram超勝無疑將更多吸取國際大廠的生產和研發經驗，提高自身產品設計，將中國特色與國際一流技術相結合。
相比國外內存品牌的高價，超勝內存則更顯出高性價比的優勢；而作為一家資深的IT產品經營公司，Leadram超勝方面在國內市場的渠道有著相當牢固的基礎，相信大家可以在各地的硬體賣場里輕松找到超勝內存的身影。大家認准Leadram超勝防偽標簽，盡可放心選購。