海力士国际股份有限公司安居分公司

⑴ 无锡海力士与上海中芯哪一个更好点 待遇和发展

一个在无锡，一个在上海？首先问下自己，你想去哪个城市发展？
待遇相关，我认为跟你的职务有关系。
海力士是韩国公司，韩国文化氛围很重。
而中芯国际管理模式偏台湾。
个人任务台湾公司还不如韩国公司。同等条件工资相差1500左右，我会选择海力士。因为上海你知道，买个房子就要多好多米阿。
我劝你有能力别进FAB，还不如做Vendor。

⑵ 海力士怎么样

MAXIM（美）
TI（德州仪器） - 欧洲意法半导体（意法半导体） - 中东INTERSIL英语特熙儿
REALTEK（瑞昱）`

BR>飞利浦PHILIPS

HYNIX（现代） - 中东安捷伦科技（Agilent技术）
三星（SAMSUNG）

FAIRCHILD仙童（仙童） - FSC

ATMEL艾特梅尔

海力士（Hynix公司 - 现代工厂） - HY

东芝--TOS BR>

NXP恩智浦蒲/飞利浦

ADI公司ADI公司

AVAGO安华高

Spansion公司Spansion公司

NS国家半导体

Microchip的Microchip的

CYPRESS赛普拉斯撕裂--CY

ISSI ISSI

DALLAS--达拉撕

MICRONAS（微开半导体） - 中东国家仪器公司（NI公司）的NS

LINEAR（凌力尔特） - 中东RENESAS（瑞萨）

SUNPLUS（凌阳）
FREESCALE（飞思卡尔）
FUJI ELECTRIC（富士电机）

富士康电子（鸿海）
梯队（埃及施琅）
INFINEON（英飞凌）
国际米兰（英特尔）
OMRON（欧姆龙）

⑶ 海力士和金泰克的内存条哪个好

应该是海力士的好。国际大品牌。就是这个品牌的内存假货比较多。
金泰克只是三线的品牌。国产品牌。当然也是正规品牌的，三年质保，主打就是性价比高。

⑷ 海力士待遇怎么样

不止很了解他的待遇
不过我想作为该领域内的国际领先企业
应该差不到哪里去吧

⑸ 海力士16和24哪个好

海力士的内存是双面颗粒的(2R*16)，记忆Ramaxel的是单面颗粒(2R*8)，hynix可以和ramaxel的兼容，2者的频率是一样的，速度也一样。工艺肯定是Ramaxel的好，它的PCB底板是深海蓝色，有6层呢，颗粒焊接也很仔细，并且都用国际大厂颗粒做的。hynix市场上很多翻新条或者库存颗粒做的，他家的颗粒质量还是很不错的，现在基本交由模组厂商来做内存了。
Ramaxel是联想和惠普的本本里原装内存。如果2个内存都是机器一买来就有的，可能是经销商扩容没有选择原装条。按理说肯定原装的好哇。

⑹ 海力士的发展过程

2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社
04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同
2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)
11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
09月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月发表企业中长期总体规划
05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率
03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长
01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块
2006年创下最高业绩及利润
2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
09月300mm研究生产线下线
03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前从企业重组完善协议中抽身而出
04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润
01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议
08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润
06月 签订非内存事业营业权转让协议
03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
02月 成功开发NAND闪存
2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
07月 宣布在世界上首次发表DDR500
06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产
04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门
10月 开发0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
03月 开发1G DDR DRAM模块
2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成与现代集团的最终分离
07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’
05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
剥离网络业务‘Hyundai Networks’
03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司”
2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社
03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）
1998年09月 开发64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 开发4M的DRAM
1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE）
01月 开发1M的DRAM
1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
04月 设立半导体研究院
1985年10月 开始批量生产256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志

⑺ 海力士的芯片装在纽科的内存条上和原装的海力士内存条有区别吗

一、就经营范围而言，海力士是做内存颗粒的，纽科则是将颗粒焊在板子上弄成内存条的。

二、就品牌定位而言，海力士是做原料的品牌，而纽科是做成品组装的。纽科跟金士顿生产的经营业务范围差不多，但金士顿有名气明显做的更专业。

三、就内存颗粒来源来说，海力士所产的内存颗粒统统专门叫海力士，纽科组装内存，除了选用海力士颗粒外，还选用三星等颗粒。

(7)海力士国际股份有限公司安居分公司扩展阅读：

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。海力士在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人。

海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。

⑻ 超胜内存，算不算杂牌，质量如何

Leadram超胜内存不仅用料完全遵照Hynix海力士原厂条，而且设计方面也借鉴了Hynix海力士成熟的技术，其最新出品的内存产品，凛然可称做"国产Hynix"，下面我们就来看看Leadram超胜内存完整的六点优势：
一、韩国原厂颗粒

Leadram超胜内存使用的是与Hynix内存颗粒硬件规格完全一致的韩国原厂A级颗粒，韩国工艺和技术制造，在品质用料和做工上与Hynix海力士正品内存不相上下。近水楼台先得月吧，在获得Hynix海力士内存的授权代理后，超胜也同时能分享到Hynix原厂A级颗粒，品质优良，性能优异，保证与正品Hynix海力士内存同样良好的广泛兼容性。

二、六层PCB专用布线设计

六层PCB设计，相比四层PCB板的电子线路布线空间更大，能有效的减少电磁干扰和不稳定因素。Intel从PC100内存开始就要求采用六层PCB板，但国内一些内存品牌为达到节约成本的目的，仍采用4层PCB，杂牌内存更是多数为4层PCB板，在系统稳定性以及超频能力上远远不如6层PCB板设计的内存。

三、耦合电容稳定保证
超胜内存在每个内存颗粒上方都设置有耦合电容，用于稳定输入电平，保持电压的稳定，以使内存在长时间工作时更加稳定，不受外界电源问题的影响；超频时的优异表现也得益于此。

四、电镀金手指工艺

超胜内存在金手指部分，采用业界先进的电镀金工艺，可以在使用中有效抗摩擦破损，防止氧化层产生，保证金手指与接触部位的良好导通性；部分品牌内存金手指采用化学沉金工艺，生成的金层相对较薄，容易在安装时破损，在日常使用时氧化，导致使用中的诸多问题。
五、PCB完整覆铜

完整的覆铜设计，避免了信号层和电源层之间的电磁干扰，保证了产品的电气性能及抗电子干扰性能；部分品牌内存的PCB板为节约成本，采用半覆铜设计，抗干扰能力差，超频性能差。

六、价格、渠道与研发

超胜科技作为一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业，一直是向着精品方向努力，在引进Hynix海力士内存之后，Leadram超胜无疑将更多吸取国际大厂的生产和研发经验，提高自身产品设计，将中国特色与国际一流技术相结合。
相比国外内存品牌的高价，超胜内存则更显出高性价比的优势；而作为一家资深的IT产品经营公司，Leadram超胜方面在国内市场的渠道有着相当牢固的基础，相信大家可以在各地的硬件卖场里轻松找到超胜内存的身影。大家认准Leadram超胜防伪标签，尽可放心选购。